Dans l'objectif d'évaluer l'influence des substituants acétophénone 1-(perfluorophényl), éthanone, naplualène-1,4-dione et 5,6,7,8-tétrafluoronaphtalène-1, 4-dione sur les propriétés semi-conductrices du quaterthiophène (T), 3TH, (TH=Hélice Thiophénique) et 3TA (TA=Thiénoacène), une étude computationnelle utilisant la méthode B3P86 couplée aux bases d'orbitales 6-31G(d.p) et 6-31-G(d.p) a été faite.

L'analyse de la géométrie moléculaire nous a révélé que seuls les dérivés du 3TA avec les substituants naphtalène-1,4-dione et 5,6,7,8 tétrafluoronaphtalène 1,4-dione demeurent plans au moment où leurs homologues comportant les substituants acétophénone et 1-(perfluorophényl)-éthanone s'écartent de la planéité. Cette planéité a été expliquée par la forte délocalisation des électrons due à la présence de deux noyaux benzéniques de chaque côté.

Des propriétés énergétiques comme l'énergie des orbitales moléculaires de frontière (EHOMO et ELUMO), le potentiel d'ionisation (PI), l'affinité électronique (AE) et l'énergie de réorganisation intramoléculaire ( pour le trou et pour l'électron) ont été calculées. Une comparaison des résultats des calculs sur les dérivés étudiés et sur les matériaux déjà utilisés dans la fabrication des transistors organiques à effet de champ (TOEC) (tels l'octathio[8] circulène, le tétracène, le pentacène et le dithiophène tétrathiafulvalène (DT-TTF) a montré que certains des oligosthiophènes étudiés onst des valeurs de et du PI proches voire plus élevées, des valeurs de et EHOMO proches voire plus petites et des valeurs de ELUMO en général plus petites que celles des matériaux déjà cités.

Sur bas de nos résultats, quelques candidats potentiels comme matériaux de fabrication des TOEC ont été identifiés et leurs étude plus approfondie a été suggérée.